存儲器是信息系統的基礎核心芯片,最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝,同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。當前,雖然我國缺乏大規模存儲芯片生產廠家,但全球集成電路產業增長放緩,為我國實現趕超、縮小差距提供了難得機遇。未來,隨著武漢光谷國家存儲器基地逐步建成,我國存儲器產業的發展也將再上新臺階。
2016年年底,總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢光谷開工。該項目位于武漢東湖高新區未來科技城,將建設3座3D NAND Flash FAB廠房。項目一期計劃2018年建成投產;2020年完成整個項目,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。目前一期建設的80億美元資金已全部到位。
國家存儲器基地動工建設,標志著中國存儲芯片產業規模化發展“零”的突破,這是“國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作”新模式的成功探索。未來,這里將建起“航母級芯片工廠”。
中國玩家來了
據介紹,國家存儲器基地項目由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設,總占地面積1968畝。以芯片制造環節為突破口,集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體,建成后還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節發展。
存儲器是信息系統的基礎核心芯片,最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝,同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。隨著大數據、云計算產業發展,存儲芯片在整個芯片市場占比超過25%,未來5年內將達到45%左右。當前全球集成電路產業增長放緩,為我國實現趕超、縮小差距提供了難得機遇。
此前,我國沒有大規模存儲芯片生產廠家,由于技術難度高、投資總量大,目前全球僅有三星、東芝、美光、海力士四大“玩家”能生產主流存儲器。要贏得存儲芯片制造的競爭,就必須建起“航母級”芯片工廠。核心生產廠房和設備每平方米投資強度超過3萬美元,相當于每平方米面積的核心廠房,都是用300張一百美元面值的鈔票堆出來的。